2020年度上海市科學(xué)技術(shù)獎勵大會于2021年12月1日舉行，華虹集團旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（簡稱“華虹宏力”）“絕緣柵雙極型晶體管工藝技術(shù)開發(fā)”項目榮獲上海市科技進步一等獎。
華虹宏力是全球首家同時在8英寸與12英寸生產(chǎn)線量產(chǎn)功率MOSFET、深溝槽超級結(jié)、場截止型IGBT的純晶圓代工企業(yè)，擁有豐富的功率器件穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗。面向包括汽車電子在內(nèi)的綠色環(huán)保IGBT應(yīng)用市場，華虹宏力依托領(lǐng)先成熟的溝槽MOS工藝，成功開發(fā)特有的場截止型IGBT工藝，建成國內(nèi)擁有全套正、背面工藝的技術(shù)平臺。該獲獎技術(shù)主要應(yīng)用于白色家電、工業(yè)變頻、焊機、汽車電子等產(chǎn)品。
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